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英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓

來源:英飛凌 發(fā)布時(shí)間:2024-10-30 13:42

英飛凌1029日宣布推出全球最薄硅功率晶圓,成為首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司,。晶圓直徑為30mm,,厚度20μm僅為頭發(fā)絲的四分之一,,是目前最先進(jìn)的40-60μm晶圓厚度的一半。該技術(shù)已獲得認(rèn)可,,并被應(yīng)用于英飛凌的集成智能功率級(jí)(直流-直流轉(zhuǎn)換器)中,,且已交付給首批客戶。

 

英飛凌科技公司首席執(zhí)行官約翰?漢內(nèi)貝克表示:"世界上最薄的硅晶片證明了我們通過推動(dòng)電力半導(dǎo)體技術(shù)的技術(shù)邊界,致力于提供卓越的客戶價(jià)值,。英飛凌在超薄晶圓技術(shù)上的突破標(biāo)志著在節(jié)能能源解決方案上邁出了重要的一步,并幫助我們充分利用全球脫碳和數(shù)字化趨勢的潛力,。憑借這一技術(shù)杰作,我們掌握了所有三種相關(guān)的半導(dǎo)體材料,即硅、硅和甘鋼,從而鞏固了我們作為該行業(yè)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者的地位,。"

 

這項(xiàng)創(chuàng)新將顯著有助于提高人工智能數(shù)據(jù)中心以及消費(fèi),、電機(jī)控制和計(jì)算應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換解決方案的能源效率、功率密度和可靠性,。與基于傳統(tǒng)硅晶圓的解決方案相比,,晶圓厚度減半可將晶圓的襯底電阻降低 50%,從而將電力系統(tǒng)中的功率損耗降低 15% 以上,。

 

對(duì)于高端人工智能服務(wù)器應(yīng)用來說,,更高的電流水平推動(dòng)了不斷增長的能源需求,這在功率轉(zhuǎn)換中尤為重要:這里的電壓必須從 230 V 降低到低于 1.8 V 的處理器電壓,。超薄晶圓技術(shù)增強(qiáng)垂直供電設(shè)計(jì),,基于垂直Trench MOSFET技術(shù),可以與AI芯片處理器非常緊密地連接,,從而減少功率損耗并提高整體效率,。

 

英飛凌電力與傳感器系統(tǒng)公司總裁亞當(dāng)·懷特說:"新的超薄晶圓技術(shù)推動(dòng)著我們以最節(jié)能的方式為不同的人工智能服務(wù)器配置提供動(dòng)力。""隨著人工智能數(shù)據(jù)中心的能源需求大幅上升,能源效率的提高越來越重要,。對(duì)英飛凌來說,這是一個(gè)快速增長的商業(yè)機(jī)會(huì),。隨著中間雙位數(shù)的增長率,我們預(yù)計(jì)在未來兩年內(nèi),人工智能業(yè)務(wù)將達(dá)到10億歐元。"

 

為了克服將晶圓厚度減少到 20 微米量級(jí)的技術(shù)障礙,,英飛凌工程師必須建立一種創(chuàng)新且獨(dú)特的晶圓研磨方法,,因?yàn)閷⑿酒潭ㄔ诰A上的金屬堆棧厚度超過 20 微米。這極大地影響了薄晶圓背面的處理和加工,。此外,,技術(shù)和生產(chǎn)相關(guān)的挑戰(zhàn)(例如晶圓彎曲和晶圓分離)對(duì)后端組裝工藝產(chǎn)生重大影響,確保晶圓的穩(wěn)定性和一流的穩(wěn)健性,。 20微米薄晶圓工藝建立在英飛凌現(xiàn)有的制造專業(yè)知識(shí)之上,,確保新技術(shù)可以無縫集成到現(xiàn)有的大批量硅生產(chǎn)線中,而不會(huì)帶來額外的制造復(fù)雜性,,從而保證盡可能高的產(chǎn)量和供應(yīng)安全,。

 


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